Teksaso universiteto (JAV, Dalasas), kartu su Getės (Vokietija, Frankfurtas) ir Vilniaus universitetų mokslininkais sukūrė puslaidininkių technologiją, kuri galėtų padaryti naktinio matymo prietaisus ir terminio vaizdo kameras gerokai prieinamesnius kasdieniniam naudojimui.
Jų sukurta puslaidininkių gamybos technologija leis aptikti beveik 10 terahercų (THz) dažnio elektromagnetines bangas ir jas vizualizuoti.
Infraraudonasis diapazonas apima 0,3 THz (1 mm ilgio) – 430 THz (750 nm ilgio) elektromagnetines bangas.
poveikio
10 THz apima tolimojo infraraudonojo spektro bangas, dar vadinamas FIR (Far-infrared), būtent tas, kurias fiksuoja terminio vaizdo kameros.
Šiuolaikiniai naktinio matymo ir terminio vaizdo jutikliai yra brangūs, dalinai todėl, kad jų gamybai naudojami specialūs (ir brangūs) puslaidininkiniai komponentai, jų efektyviam darbui reikalinga žema temperatūra ir šiluminė izoliacija.
Tačiau mokslininkų pasiekimas gali tai radikaliai pakeisti – jų sukurto lusto, kurio pagrindiniai komponentai – Šotkio diodai, gamybai naudojama jau seniai pramonėje įsisavinta CMOS (Complementary Metal-Oxide Semiconductor, liet. metalo oksido puslaidininkio (MOP) darinys) technologija, todėl gamyba gali būti masinė ir nebrangi.
10 THz dažnis iki šiol buvo neįkandamas CMOS technologijos puslaidininkiniams prietaisams; kol kas didžiausias pasiektas darbinis dažnis neviršijo 5 THz.
Tai reikštų ir tai, kad po kiek laiko ir išmanieji telefonai kaip standartinį prietaisą galės turėti ir termovizinę kamerą, lygiai kaip dabar įprasta tapo fotokamera ar GPS navigacija.
Atsivertų ir kitos įdomios galimybės – kameros automobiliams, fiksuojančios į kelią išbėgusius laukinius žvėris, nebrangūs naktinio matymo prietaisai turistams, išmanieji jutikliai, galintys fiksuoti, ar kambaryje yra žmonių ir išjungti nereikalingą apšvietimą ar kondicionavimo prietaisus.
Dar prieš dvidešimt metų dideliu pasiekimu buvo laikoma 1 GHz dažnis, o šiandien kuriami lustai, veikiantys net dešimt tūkstančių kartų didesniu greičiu.
Tolesniuose planuose – sukurti puslaidininkius, galinčius veikti 40 THz dažniu.
Šis darbas buvo pristatytas renginyje „International Electron Devices Meeting“, kuriame aptariamos naujausios ir svarbiausios puslaidininkių technologijų naujovės.